Advanced Indium Arsenide-Based HEMT Architectures for Terahertz Applications - Mohankumar, N. (GITAM University, Bangalore) - Kirjat - Taylor & Francis Ltd - 9780367554149 - keskiviikko 29. syyskuuta 2021
Mikäli Kansi ja otsikko eivät täsmää, on otsikko oikein

Advanced Indium Arsenide-Based HEMT Architectures for Terahertz Applications 1. Painos

Mohankumar, N. (GITAM University, Bangalore)

Hinta
Fr. 139,49

Tilattu etävarastosta

Arvioitu toimitus pe 23. touko - ke 4. kesä
Lisää iMusic-toivelistallesi
Eller

Advanced Indium Arsenide-Based HEMT Architectures for Terahertz Applications 1. Painos

This book characterizes the HEMT based on InAs III-V material to achieve outstanding current and frequency performance. It explains different types of device architectures available to enhance the performance including InAs based single gate (SG) HEMT and double gate (DG) HEMT. The noise analysis of InAs based SG and DG-HEMT is also discussed.


160 pages, 78 Line drawings, black and white; 1 Halftones, black and white; 7 Tables, black and whit

Media Kirjat     Hardcover Book   (Sidottu kirja kovilla kansilla sekä suojakannella)
Julkaisupäivämäärä keskiviikko 29. syyskuuta 2021
ISBN13 9780367554149
Tuottaja Taylor & Francis Ltd
Sivujen määrä 130
Mitta 379 × 213 × 15 mm   ·   362 g
Kieli English  
Toimittaja Mohankumar, N. (GITAM University, Bangalore)