Low Power and Reliable SRAM Memory Cell and Array Design - Springer Series in Advanced Microelectronics - Koichiro Ishibashi - Kirjat - Springer-Verlag Berlin and Heidelberg Gm - 9783642195679 - torstai 18. elokuuta 2011
Mikäli Kansi ja otsikko eivät täsmää, on otsikko oikein

Low Power and Reliable SRAM Memory Cell and Array Design - Springer Series in Advanced Microelectronics 2011 edition

Koichiro Ishibashi

Hinta
€ 120,99

Tilattu etävarastosta

Arvioitu toimitus ti 22. loka - pe 1. marras

Asiakkaamme sanovat:

14 päivän palautusoikeus
Huippuarvosana Trustpilotissa
Lisää iMusic-toivelistallesi

Löytyy myös muodossa:

Low Power and Reliable SRAM Memory Cell and Array Design - Springer Series in Advanced Microelectronics 2011 edition

Success in the development of recent advanced semiconductor device technologies is due to the success of SRAM memory cells. To study LSI design, SRAM cell design is the best materials subject because issues about variability, leakage and reliability have to be taken into account for the design.

310 pages, biography

Media Kirjat     Hardcover Book   (Sidottu kirja kovilla kansilla sekä suojakannella)
Julkaisupäivämäärä torstai 18. elokuuta 2011
ISBN13 9783642195679
Tuottaja Springer-Verlag Berlin and Heidelberg Gm
Genre Aspects (Academic) > Science / Technology Aspects
Sivujen määrä 144
Mitta 155 × 235 × 13 mm   ·   362 g
Kieli French  
Toimittaja Ishibashi, Koichiro
Toimittaja Osada, Kenichi

Katso kaikki joka sisältää Koichiro Ishibashi ( Esim. Hardcover Book Ja Paperback Book )